第三代半導體材料是近年來迅速發展起來的以GaN、SiC為代表的新型半導體材料，近日，在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導體相關的科研機構、大專院校、龍頭企業自愿發起籌建的“第三代半導體產業技術創新戰略聯盟”（以下簡稱“聯盟”）正式宣布成立，我司當選為副理事長單位。

       會議同期召開了聯盟第一屆理事會第一次工作會，并發表決議：經過投票選舉，吳玲當選為聯盟首屆理事長，北京國聯萬眾半導體科技有限公司總裁呂志輝當選為聯盟秘書長。理事會邀請曹健林副部長出任顧問委員會主任，提名中國科學院半導體研究所、北京大學、南京大學、西安電子科技大學、三安光電股份有限公司、廈門華聯電子有限公司、國網智能電網研究院、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、山東天岳先進材料科技有限公司等創新鏈條上的重要機構作為副理事長單位。

       我司范玉缽董事長——國家半導體照明工程研發及產業聯盟產業執行主席——在會上提出聯合突破的想法：第三代半導體具有戰略意義是毋庸置疑的，因此，應該聯合起來，集中優勢力量打殲滅戰，才能把產業做大做強，走在世界前列。

       科普小知識：

       以GaN、SiC為代表的新型半導體材料，具有禁帶寬度大，擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及、抗輻射能力強的等優點，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等重點產業發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

       第三代半導體材料及器件的突破將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局。美、日、歐、韓等發達國家高度重視并已部署國家相關計劃搶占戰略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與及器件的研發與及產業化，在科技部等部委的持續部署支持下，我國材料研發的整體水平與國際上差距不大，半導體照明作為在第三代半導體的材料首個第一個產業化的應用方向方面——半導體照明已經在關鍵技術上實現突破，創新應用處于國際領先水平；此外，在第三代半導體電子器件應用方面，在移動通訊、光伏逆變、雷達等領域已有少量示范應用。